技術士 第一次試験 専門科目 電気電子部門 電子応用 練習問題 第4問: 電界効果トランジスタ (FET) とバイポーラトランジスタに関する記述として、最も適切なものはどれか。

「FETは、ゲートに加える電圧でドレイン電流を制御する電圧制御形の素子で…」が適切です。NEETS Module 07 (NAVEDTRA 14179) 第3章は、バイポーラトランジスタはベースとエミッタの間のバイアス電流で導電率を制御し、ベース・エミッタ接合の低い入力インピーダンスが段間のインピーダンス整合で問題になるのに対し、FETは電圧で素子内部の静電界を制御する電圧制御の素子で、入力インピーダンスがバイポーラトランジスタよりかなり高いと説明しています。

接合形FETはゲートのpn接合に逆バイアスを加え、空乏層でチャネルの断面積を狭めて電流を制御します。MOSFETはチャネルの上に金属酸化物の絶縁層を作り、その上にゲートを置くので、ゲートと素子の他の部分は電気的につながらず、入力インピーダンスは接合形FETよりさらに高くなります。